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    可提供两相步进电机大于90%的效率
    浏览:117 发布日期:2021-12-03 07:10:22

      是交流感应电动机的一个日益增长的替代品,几十年来,交流感应电动机几乎一直是所有电机应用的主力军。保持了交流感应电机的可靠性和简单性,同时提供了更高的效率、同步运行和使用更小框架尺寸的机会。用永磁体(通常由稀土金属合金制成)代替转子导体中感应的磁场,使其。为了代替机械换向,需要一个控制系统来确定向哪些线圈提供电流以产生扭矩。稀土永磁交流电动机产生的磁场可以提供与交流感应电动机相同的转矩,而交流感应电动机的电机更小、更轻。

      电机设计过程涉及一些基本考虑因素,对于启动器,应用环境的要求,什么时候需要什么扭矩和速度,多久需要一次?什么是工作循环?温度和压力等环境条件是什么?即使是效的电机,如果电机应用错误的领域,其不会发挥的效率。许多电动机都用于齿轮电动机、齿轮减速器和电动机的组合。齿轮马达以低速提供高扭矩,简言之,齿轮电机在放大扭矩的同时,会吸收电机功率并降低转速,齿轮电机占空比会影响电机的性能额定值,例如连续的占空比。

      一个冷却较好的马达运转效率更高,为了获得的气流,优化了冷却风扇和风扇罩的设计,确保定子和电机外壳之间的紧密结合提供的冷却性能。电机的电效率提高了很多,但冷却风扇的功率占总损耗的比例更大。冷却风扇尺寸的优化包括使用风扇的小功率,同时提供足够的冷却。优化的风扇设计可使风扇功率需求降低65%,一个重要的设计特点是叶片和壳体之间的间隙。外壳和风扇叶片之间的空间应尽可能小,以防止湍流和减少回流。

      滚珠或滚柱轴承用于高效电机,它们由一个内外圈和一个包含钢或陶瓷辊或球的保持架组成。外圈与定子相连,内圈与转子相连。当轴旋转时,元件也旋转,并且轴旋转的摩擦力小化。它们使用寿命长,维护成本低。高精度应用允许小的气隙。热收缩和热膨胀会影响轴和轴承座的配合以及内部轴承间隙 。功率输出控制轴尺寸和轴承孔。载荷大小和方向决定轴承尺寸和类型。考虑额外的力,如引起磁力拉力的不对称气隙、失衡力、齿轮的节距误差和推力载荷。对于轴承载荷计算,将轴视为支撑在刚性无力矩支架上的梁。滚珠轴承比滚子轴承更适合高速应用。高速因素包括保持架设计、润滑剂、运行精度、间隙、共振频率和平衡。轴承需要小的负载,因此滚动元件旋转形成润滑膜而不是滑动,这会提高工作温度并降解润滑油。允许小载荷等于滚珠轴承动态径向载荷额定值的0.01倍。当轴承接近推荐额定值的70%时,这一点尤为重要。了解环境温度范围和正常工作温度范围将有助于确定轴承的润滑方法:润滑油或润滑脂,一般情况下考虑的齿轮电机的正常工作温度范围为-25至40°C。合成润滑脂在各种温度范围内具有良好的性能,润滑脂可以简化维护、清洁、减少泄漏和污染保护。

      当轴心与旋转轴不共存时,会产生噪声和振动,平衡对效率的影响有限,但会影响运行噪音和预期寿命,这对限度地利用资源也很重要。轴承振动读数通常在垂直、水平和轴向三个平面上读取。垂直振动可能表明存在安装问题,水平振动可能意味着平衡问题,而轴向振动可能意味着轴承问题。工作转速下的平衡很重要,因为轴承的向心力也可能导致不平衡。

      具有高性能永磁的同步电机具有正弦磁通分布和电动势,对于分布式绕组,定子绕组通常与异步电机绕组相同,它降低了振动、噪音和维护成本,提高了整体性能。

      电机中使用了钕、稀土、钐钴磁铁或铁氧体(陶瓷)磁铁,稀土磁铁的强度是铁氧体或陶瓷永磁体的两到三倍,但价格较贵。钐钴磁铁是高温应用的选择,因为它们具有高能量密度、250至550°C的耐温性、温度升高导致的参数小幅度降低以及氧化保护,选择钐钴或钕作为电机磁铁是根据工作温度、耐腐蚀性和要求的性能。如果加热到80℃以上,低等级的钕磁铁可能开始失去“强度”,高等级的钕磁铁在220℃以下的温度下工作。铁氧体或陶瓷磁铁由于其很强的电阻而得到广泛的认可,退磁性好,耐腐蚀性强,价格低廉。在250°C以上的温度下工作时会发生磁损耗,但当磁铁降到较低的温度时会恢复磁损耗。除非电路设计用于情况,否则-40°C的低温可能会导致永磁强度的损失。

      逆变器驱动单元在空载运行/静止状态下可以无损耗,通过替换现有的线路供电的三相驱动装置,预计可以节省高达30%的能源。驱动装置的特点使其非常适合驱动连续运行的泵和风扇。不需要额外的组件,比如编码器。高达25%的占地面积允许机器设计更紧凑。电机具有良好的控制性能,并与无传感器驱动控制器单元相结合,即使在低速下也具有出色的真实运行性能,在脉冲负载和速度变化时具有令人印象深刻的动态特性。

      驱动器可以“自我检测”并跟踪转子的永磁位置。这对于电机平稳启动至关重要,同时也允许产生扭矩,从而获得效率。缺少位置或速度传感器降低了成本,提高了驱动系统的可靠性。随着效率的不断提高,对特定电机的控制器设置进行编程以获得效率的重要性越来越重要。

      在机器制造过程中选择合作伙伴时,请记住有两种选择电动机电源的方法,要么选择一个可能或可能不适合特定应用的标准电机,要么选择一个合格的电机合作伙伴来设计和制造一个完全适合应用的电机。如果设计工程师没有时间或工程资源来设计自定义版本,或者如果需要快速设置,标准电机解决方案是合适的。新的模块化设计和建造方法使制造工程师能够获得价格合理的定制电机,即使是在数量有限的情况下。无论选择电机的方法如何,都要通过将性能预测与测量结果进行比较,不断改进设计/驱动系统。

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      LED8102SXTTR STMicroelectronics LED8102S LED阵列驱动器

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      STSPIN32F0251TR STMicroelectronics STSPIN32F025x250V三相控制器

      oelectronics STSPIN32F025x 250V三相控制器是高度集成的解决方案,用于驱动三相应用。由于集成度高,因此有助于设计人员减少PCB占位和总体物料清单。STSPIN32F025x内置STM32F031x6x7 MCU(采用Arm® 32位Cortex®-M0 CPU)和250V三路半桥栅极驱动器。半桥栅极驱动器可驱动N通道功率MOSFET或IGBT。该器件集成了具有高级smartSD功能的比较器,可确保快速有效地防止过载和过流。下部和上部驱动部分还集成了高压自举二极管,以及防交叉传导、死区时间和UVLO保护。这些特性可防止电源开关在低效率或危险条件下运行。低侧和高侧部分之间的匹配延迟可确保无周期失真。集成的MCU可以执行FOC、6步无传感器以及其他高级驱动算法(包括速度控制回路)。 特性 三相栅极驱动器 高达250V高压轨 驱动器电流能力 200mA/350mA拉/灌电流 (STSPIN32F0251) 1.0A/0.85A拉/灌电流 (STSPIN32F0252) dV/dt瞬态抑制:50V/ns ...

      STGAP2HSMTR STMicroelectronics STGAP2HS4A 单通道栅极驱动器

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      STEVAL-LLL004V1 STMicroelectronics STEVALLLL004V1 LED驱动器

      oelectronics STEVAL-LLL004V1 LED驱动器是一款数控恒流LED驱动器。PFC级和两个直流-直流转换器设计用于在转换模式下工作以优化效率。该LED驱动器可提供75W的输出功率。 通过模拟和数字方法,该驱动器可以将LED调暗至亮度水平的0.5%。通过任何一种调光技术,该操作在整个调光范围内均无闪烁。该电路板具有高效率,功率因数几乎等于1,并且在宽输入电压和负载条件下具有低THD百分比。这得益于高性能ST电源产品,以及在32位STM32F0微控制器上运行的高级算法。 特性 宽输入电压范围:85VAC至265VAC 转换模式PFC 两个基于不同拓扑、在转换模式下工作的恒流输出: 降压拓扑 反向降压拓扑 输出电流:500mA 2.5% 输出端连接的LED数量:16至24个白光LED(每个3.3V) 满负载时,PFC

      EVL6562A-LED EVL6562A-LED恒流逆降压LED驱动器使用L6562A

      稳压器& LED驱动器旨在取代用于在5V,12V或24V低压AC / DC应用中驱动LED的分立解决方案。外部电阻允许电路设计人员为不同的LED阵列设置驱动电流。这种分立式集成技术通过将单个组件组合到一个封装中来消除单个组件,从而显着降低系统成本和电路板空间。该器件是一个小型表面贴装封装SO8。 特性 为不同的输入电压提供恒定的LED电流。 外部电阻允许设计人员设置电流 - 500 mA。 AEC-Q101合格且PPAP能力 适用于汽车和其他需要独特应用的NSV前缀场地和控制变更要求 应用 汽车:尾灯,定向灯,倒车灯和圆顶灯。 电路图、引脚图和封装图...

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      151将MOSFET驱动器,高端MOSFET和低端MOSFET集成到单个封装中。驱动器和MOSFET已针对高电流DC-DC降压功率转换应用进行了优化。与分立元件解决方案相比,NCP303151集成解决方案大大降低了封装寄生效应和电路板空间。 特性 能够达到50 A的平均电流 30 V / 30 V击穿电压MOSFET具有更高的长期可靠性 能够以高达1 MHz的频率切换 与3.3兼容V或5 V PWM输入 正确响应3级PWM输入 电流监测 具有3级PWM的过零检测选项 内部自举二极管 欠压锁定 支持英特尔®PowerState 4 应用 桌面和笔记本微处理器 图形卡 路由器和交换机 支持英特尔®PowerState 4 电路图、引脚图和封装图...

      040将MOSFET驱动器,高端MOSFET和低端MOSFET集成在一个封装中。驱动器和MOSFET已针对高电流DC-DC降压功率转换应用进行了优化。与分立元件解决方案相比,NCP302040集成解决方案大大减少了封装寄生效应和电路板空间。 特性 平均电流高达40A 能够以高达2 MHz的频率切换 兼容3.3 V或5 V PWM输入 正确响应3级PWM输入 支持英特尔®电源状态4 应用 终端产品 台式机和笔记本微处理器 电源和笔记本电脑 电路图、引脚图和封装图...

      150将MOSFET驱动器,高端MOSFET和低端MOSFET集成在一个封装中。驱动器和MOSFET已针对高电流DC-DC降压功率转换应用进行了优化。与分立元件解决方案相比,NCP302150集成解决方案大大降低了封装寄生效应和电路板空间。 特性 平均电流高达45A 能够以高达2 MHz的频率切换 兼容3.3 V或5 V PWM输入 正确响应3级PWM输入 支持英特尔®电源状态4 使用3级PWM进行零交叉检测的选项 热警告输出和热关机 应用 终端产品 台式机和笔记本微处理器 服务器和工作站,V-Core和非V-Core DC-DC Con转换器 小型电压调节器模块 高电流DC-DC负载点转换器 电源和笔记本 电路图、引脚图和封装图...

      055将MOSFET驱动器,高端MOSFET和低端MOSFET集成在一个封装中。驱动器和MOSFET已针对高电流DC-DC降压功率转换应用进行了优化。与分立元件解决方案相比,NCP302055集成解决方案大大减少了封装寄生效应和电路板空间。 特性 平均电流高达50A 能够以高达2 MHz的频率切换 兼容3.3 V或5 V PWM输入 支持Intel®PowerState 4 使用3级PWM的零交叉检测选项 内部自举二极管 热警告输出和热关机 热关机 应用 终端产品 台式机和笔记本微处理器 服务器和工作站,V -Core和非V-DC DC-DC转换器 大电流DC-DC负载点转换器 小型电压调节器模块 电源和笔记本 电路图、引脚图和封装图...

      2是一款无线电源ASIC,可提供符合AirFuel MR标准的非接触式6.78 MHz电力传输单元(PTU)所需的电源,测量和支持功能。 NCP6992与蓝牙信令协议(BLE)相结合,通过管理功率传输(包括效率和故障条件管理),有助于调整和优化发送器线圈的功率。 特性 输入电压范围4.5V至22V 提供小型7x7mm²可湿性侧翼电镀QFN-56封装,间距0.4mm 直接从墙上适配器或USB端口供电 可通过3.4 MHzI²C接口进行广泛编程 50 W功率升压控制器,具有可在9V至55.2V(200mV步进)下编程的转换器,具有OVP和自动控制输入选项 可配置的睡眠模式和使用直接输入控制的快速唤醒循环 In集成式降压转换器5V& 500mA 2通用GPIO可用于逻辑I / O,ADC输入或时钟输出 系统LDO可编程为1.2V至3.6V,100 mV步进,带动态电压调节(DVS) USB BC 1.2检测的前端 具有OCP的四相可选6.78MHz PA驱动器 用于天线切换的PWM控制继电器驱动器 用于PA电源电压,电流和温度测量的10位ADC 一个阻抗控制检测器 具有ADC读数的差分...
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